二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试仪

EN-3020B分立器件测试仪

概述：EN-3020B型分立器件测试仪是用于二极管、IGBT和MOSFET的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的国家标准、军标，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。

系统特点：

功率源 3000V/200A

测试系统整体采用计算机操控

测试数据由计算机记录，并进行 Excel 处理

采用脉冲法测试，脉宽为国军标

自动化程度高（可按设定的程序自动测试）

测试灵活（完美应对器件及多单元模块测试）

Labview 平台开发，数据编辑处理功能强，菜单式，模块化，人机友好设备操作简单、性能稳定非常适合电气，电子类厂商, 研究所做 IQC 来料检验、器件选型，失效分析以及学校教学和轨道机车地铁高铁检测使用。

规格环境

尺寸：250×570×280（mm）

质量：15kg

环境温度：1540

工作电压；AC220V±10（无严重谐波）

电网频率：50Hz

通信接口；USB RS232

功能单元	参数指标
基本参数	功率源：3000V/200A
栅极-发射极漏电流	IGES: 0.1-10uA±2±0.01uA
IGES	集电极电压VCE: 0V
	栅极电压 Vge: 5-40V±3±0.1V
	集电极电压VCES: 200-3000V±2±10V
集电极-发射极电压	集电极电流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA
	栅极电压 Vge: 0V
集电极-发射极饱和	VCESat:0.1-5V±2±0.01V
电压VCESat	栅极电压Vge: ±15V±2±0.2V
	集电极电流ICE: 10-100A±2±1A
集电极-发射极截止	集电极电压VCE: 200-3000V±3
	集电极电流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA
电流ICES
	栅极电压VGE: 0V
栅极-发射极阈值电	VGEth: 1-10V±2±0.1V
压	Vce=15V
二极管压降测试	VF: 0.1-5V±2±0.01V
	IF:5-100A±2±1A
	Vge: 0V
反向击穿BVR	BVR：200-3000V±2±10V
反向漏电流IR	IR：0.1-10mA±3±0.01mA
导通电阻RDS（on）	1-10mΩ±2±0.1 mΩ
	10-50mΩ±2±0.5 mΩ

 

 

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