实物拍摄DM1AA-SF-PEJ(82) 镀金脚 原装现货供应SD卡座Hirose/广濑

14

10-99PCS

12

100-449PCS

10.99

≥450PCS

起订量

≥10PCS

总供应

5400PCS

所在地

广东省深圳市

  • 图文详情
  • 产品属性
  • RohsLead free / RoHS Compliant
    标准包装4,000
    FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
    FET特点Standard
    漏极至源极电压(VDSS)30V
    电流-连续漏极(编号)@ 25°C8.3A
    Rds(最大)@ ID,VGS25 mOhm @ 7A, 4.5V
    VGS(TH)(最大)@ Id1V @ 250µA
    栅极电荷(Qg)@ VGS17nC @ 5V
    输入电容(Ciss)@ Vds的-
    功率 - 最大2.5W
    安装类型Surface Mount
    包/盒8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    供应商器件封装8-SO
    包装材料Tape & Reel (TR)
    包装8SOIC
    通道模式Enhancement
    最大漏源电压30 V
    最大连续漏极电流8.3 A
    RDS -于25@4.5V mOhm
    最大门源电压±12 V
    典型导通延迟时间12 ns
    典型上升时间17 ns
    典型关闭延迟时间25 ns
    典型下降时间6 ns
    工作温度-55 to 150 °C
    安装Surface Mount
    标准包装Tape & Reel
    最大门源电压±12
    包装宽度4(Max)
    PCB8
    最大功率耗散2500
    最大漏源电压30
    欧盟RoHS指令Compliant
    最大漏源电阻25@4.5V
    每个芯片的元件数1
    最低工作温度-55
    供应商封装形式SOIC
    标准包装名称SOIC
    最高工作温度150
    渠道类型N
    包装长度5(Max)
    引脚数8
    包装高度1.5(Max)
    最大连续漏极电流8.3
    封装Tape and Reel
    铅形状Gull-wing
    FET特点Standard
    安装类型Surface Mount
    电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C8.3A (Ta)
    的Vgs(th ) (最大)@ Id1V @ 250µA
    漏极至源极电压(Vdss)30V
    供应商设备封装8-SO
    开态Rds(最大)@ Id ,V GS25 mOhm @ 7A, 4.5V
    FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
    功率 - 最大2.5W
    闸电荷(Qg ) @ VGS17nC @ 5V
    封装/外壳8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
    其他名称IRF7807ATRPBFCT
    工厂包装数量4000
    配置Single
    晶体管极性N-Channel
    连续漏极电流8.3 A
    安装风格SMD/SMT
    RDS(ON)25 mOhms
    功率耗散2.5 W
    封装/外壳SO-8
    栅极电荷Qg17 nC
    上升时间17 ns
    最高工作温度+ 150 C
    漏源击穿电压30 V
    RoHSRoHS Compliant
    下降时间6 ns
    栅源电压(最大值)�12 V
    漏源导通电阻0.025 ohm
    工作温度范围-55C to 150C
    包装类型SOIC
    极性N
    类型Power MOSFET
    元件数1
    工作温度分类Military
    漏源导通电压30 V
    弧度硬化No

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    品牌 : Hirose/广濑
    型号 : DM1AA-SF-PEJ(82)
    极数 : 2P
    应用范围 : PCB
    类型 : 其他IC
    封装 : SMT
    批号 : 新年份环保
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