原装正品 IRF730S 场效应晶体管 730S TO-263封装 现货供应

标准包装	1,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	400V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	5.5A
Rds（最大）@ ID，VGS	1 Ohm @ 3.3A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	38nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	700pF @ 25V
功率 - 最大	3.1W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装	D2PAK
包装材料	Tube
最大门源电压	±20
欧盟RoHS指令	Not Compliant
最高工作温度	150
通道模式	Enhancement
标准包装名称	D2PAK
最低工作温度	-55
渠道类型	N
最大漏源电阻	1000@10V
最大漏源电压	400
每个芯片的元件数	1
供应商封装形式	TO-263AB
最大功率耗散	3100
最大连续漏极电流	5.5
引脚数	3
铅形状	Gull-wing
单位包	0
最小起订量	1
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	5.5A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	4V @ 250µA
封装/外壳	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备封装	D2PAK
其他名称	*IRF730S
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	1 Ohm @ 3.3A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	3.1W
标准包装	1,000
漏极至源极电压（Vdss）	400V
输入电容（Ciss ） @ VDS	700pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	38nC @ 10V
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant

 

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