磷化铟InP单晶片、磷化铟衬底、砷化铟衬底、锑化铟衬底 半导体材料厂家 金源供应回收单晶材料

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名称:  磷化铟InP单晶片

 

      规格：可以做到2英寸、3英寸，正常晶向为<100>、<111>，特殊晶向也可以加工。

 

       磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极限漂移速度高、耐辐射性

 

好、导热好的优点。

        适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态发光、微波通信、光纤通

 

信、太阳能电池、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。

 

  

 

InP单晶参数

品种	类型	浓度（cm-3）	迁移率(cm2/V.S)	电阻率(Ω.cm)	位错密度(cm-2)
Un-InP	------	<3*1016	>1700	----	<1000
S-InP	N	5*1017<n<5*1018	>1700	-----	<1000
Zn-InP	P	0.6*1018<n<6*1018	>50	------	<1000
Fe-InP	N	107~108	>1700	>107	<1000

         砷化铟（InAs）III-V族化合物半导体材料，闪锌矿型的晶体结构，能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。        InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。

 

名称：InAs wafer （砷化铟）单晶片

 

规格：2英寸、3英寸，正常晶向为<100>、<111>，特殊晶向也可以加工。

 

 

 

 

InAs wafer 单晶参数

 

品种	类型	浓度 （cm-3）	迁移率 (cm2/V.s)	位错密度 (cm-2)
Un-InAs	N	3*1016	2*104	< 1000
S-InAs	N	(3-80) *1017	----	< 1000
Zn-InAs	P	(3-80) *1017	60-300	< 1000

2" 和3" InSb wafer 锑化铟单晶片。

 

规格 size		2 inch	3 inch
晶向 Direction		（100）±0.3
直径Diameter（mm）		50.8±0.4	76.2±0.3
厚度Thickness（μm）		500±25	650±25
主定位边长度First Flat（mm）		16.0±1.0	22.0±1.0
副定位边长度second Flat（mm）		8.0±1.0	11.0±1.0
平整度	TTV（μm）	＜10	＜10
	TIR（μm）	＜10	＜10
	Bow（μm）	＜10	＜10
	Warp（μm）	＜15	＜15

品种 Dopant	Un-InSb	Te- InSb
导电类型Type	N	N
载流子浓度（cm-3）	(5～10)×1013	(1～1000)×1014
阻率(Ω▪cm)	─	─
迁移率(cm2/V▪s)	5E04-2E05	2E04-1E05
位错密度(cm-2)	2"：≤200	2"：≤200
	3"：≤500	3"：≤500

 

     金源金属公司提供III-V族化合物单晶片衬底：砷化镓衬底、砷化铟衬底、磷化镓衬底、磷化铟衬底、锑化镓衬底、锑化铟衬底、锑化镓衬底。

磷化铟半导体衬底材料具有电子极限漂移速度高、耐辐射性能好、导热好的优点，主要应用于光纤通讯、光电集成电路、军用通讯、红外光学、激光与光子探测器和功率器件等半导体领域。

包装：开盒即用， 100级洁净室真空冲氮包装,25片卡盒/单片币式

顺丰快递送达。

掺杂：掺硫/S

尺寸：2英寸/50.0±0.3mm

厚度：350±25μm

位错密度：＜500/㎝2

晶片单面抛光（如需双面抛光需另外加工）

 

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