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  锑化镓（GaSb）是一种非常重要的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料，是Ⅱ类超晶格非制冷中长波红外探测器及焦平面阵列的关键材料。        非制冷中长波红外探测器具有长寿命、轻量化、高灵敏度、高可靠性等等优点；该产品广泛应用在红外激光器、红外探测器、红外传感器、热光伏电池。

 

 

名称：GaSb wafer （锑化镓）单晶片

 

规格：2英寸、3英寸和4英寸；

 

晶向:<100>、<111>， 特殊晶向也可以加工。

 

 

GaSb wafer 单晶参数

 

品种	类型	浓度 （cm-3）	迁移率(cm2/V.S)	位错密度 (cm-2)
Un-GaSb	P	1~2*1017	600~700	<1000
Zn-GaSb	P	5*1017<n<100*1017	200~500	<1000
Te-GaSb	N	1~60*1017	2000~3500	<1000

   

 磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，化学键是以共价键为主的混合键，属于间接跃迁型半导体。磷化镓与其他宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，是LED主要衬底材料之一。        磷化镓外延材料是在磷化镓单晶衬底上通过液相外延或汽相外延加扩散生长的方法制得。多用于制造发光二极管。液相外延材料可制造红色、黄绿色、纯绿色光的发光二极管，汽相外延加扩散生长的材料，可制造黄色、黄绿色光的发光二极管。

 GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温。

 

与硅太阳电池相比，GaAs太阳电池具有更好的性能。

 

砷化镓电池与硅光电池的比较：

 

1、光电转化率：

 

砷化镓的禁带较硅为宽，使得它的光谱响应性和空间太阳光谱匹配能力较硅好。

 

硅电池的理论效率大概为23%，而单结的砷化镓电池理论效率达到27%，而多结

 

的砷化镓电池理论效率更超过50%。实际应用中硅的效率在18%左右，砷化镓却能达到40%。

 

2、耐温性

 

常规上，砷化镓电池的耐温性要好于硅光电池，砷化镓电池在250℃的条件下仍可以正常

 

工作，但是硅光电池在200℃就已经无法正常运行。

           

 

我司提供空间用电池和地面电站用电池。

 

 

1. 空间用：转换效率η≥30%

 

 

 

2.  地面用：转换效率η≥40%

 

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