实物拍摄IRFP460 IRFP460PBF TO247 原装N沟道场效应管 电子元器件配单 BOM表报价

单位包	500
最小起订量	500
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	20A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	4V @ 250µA
供应商设备封装	TO-247AC
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	250 mOhm @ 10A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	278W
标准包装	500
漏极至源极电压（Vdss）	500V
输入电容（Ciss ） @ VDS	3094pF @ 100V
闸电荷（Qg ） @ VGS	170nC @ 10V
封装/外壳	TO-247-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
安装风格	Through Hole
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
配置	Single
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	20 A
正向跨导 - 闵	12 S
RDS（ON）	250 mOhms
功率耗散	278 W
最低工作温度	- 55 C
封装/外壳	TO-247AC
栅极电荷Qg	85 nC
上升时间	31 ns
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	500 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	56 ns
栅源电压（最大值）	�20 V
安装	Through Hole
工作温度范围	-55C to 150C
包装类型	TO-247AC
引脚数	3 +Tab
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
通道模式	Enhancement
漏源导通电压	500 V
弧度硬化	No

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