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电子束纳米曝光系统 DY-2000A
——电子束光刻系统
电子束纳米曝光系统DY-2000系统概述: 电子束纳米曝光系统是微细加工的专用设备,集光、机、电、真空、控制等多种高技术于一体。
系统组成:电子光学系统(扫描电子显微镜)、图形发生器、精密工件台、控制系统、真空系统、精密电源。
主要应用:
1:半导体器件研究:微波晶体管,单电子晶体管,量子点,超导环等
2:光电子器件研究:特种光栅,菲涅尔波带板,晶体检波器,光波导,光集成器件
3:微机械研究:微纳机电系统,微通道,微传感器,3D微结构
4:消费电子研究:全息光学元件,新一代DVD光,光学传感器,磁头,声表面波器件
5:其他研究:非生产掩膜板制作,图形位置标定和CD测量 纳米图形发生器DY-2000是电子束纳米曝光系统DY-2000的核心部件,由中国科学院电工研究所自主研发、生产。吸纳了近年来数字信号处理的新成果,利用高性能数字信 号处理器(DSP)将要曝光的单元图形拆分成线条和点,然后通过优化设计的数模转换电路,将数字量转化成高精度的模拟量,驱动扫描电镜的偏转器,实现电子束的扫描。
DY-2000A纳米图形发生器硬件 硬件系统构成 1、高速DSP微控制单元 DY-2000A采用66MHZ主频的16位DSP,指令执行速度75MIPS,其优异的信号处理能力保证了曝光过程的速度和结果的精度。工作温度-40 ℃---85 ℃, 使其在远高于实验室环境温度下能正常工作。供电电压仅需2.25v—3.6v. 低功耗,高稳定性。
2、图像采集模块 图像采集部分我们选用新一代高性能,12位模数转换器,仅需单电源供电。具有真12位线性度,温度漂移小。具有独立完整的ADC,内置高性能,低噪声的采样放大器,在额 定数据处理中提供真12位精度,不存在失真现象。
3、电源模块 电源部分包括模拟和数字两部分 模拟部分:模拟电路和所有放大器电路主要采用线性电源,利用其输出纯净性高,防电磁干扰能力强,纹波小,调整率好。缺点就是体积大,发热量偏高 。 数字部分:采用线性电源和开关电源配合使用,需要效率高的采用开关电源,需要精度高的采用线性电源。
4、恒温模块• 我们在X,Y在高精度的数模转换,DSP信号处理和刻写场修正电路等部分做了恒温处理。
• 线性电源部分我们充分采用控温和散热处理。
• DY-2000A抗干扰箱我们做了温控处理。
5、显示控制单元 基于EBL曝光全过程是在电镜腔体中进行,我们无法直观的观其过程。 因此,我们在机箱上采用5.6寸LED液晶显示屏,特点是可以直观的,实时的跟踪曝光过程,同时还可以根据图形的显示来判断和提高曝光参数的设置。
6、信号输入、输出I/O模块
• X,Y方向偏转的数模信号:采用进口BNC插头配防干扰屏蔽线。
• 电镜图像信号的采样 : 采用进口BNC插头配防干扰屏蔽线来接入
• 束闸控制和SEM远程控制:采用进口BNC插头配防干扰屏蔽线来输出
• 与PC软件的通信:采用320M并口传输,传输速度快,信号纠错能力强还能同时进行多任务操作。
7、束闸输出模块 束闸输出信号为0v和5v TTL电平,带负载能力强,用于驱动高速通断的束闸控制器。
8、防电磁干扰模块
• 独立完整的X方向数模转换和控制部分和独立完整的Y方向数模转换和控制部分,同时为其分别安排了屏蔽的小黑盒。
• 线性电源和开关电源,均做了独立的防干扰和屏蔽的处理。
硬件技术参数
生产商 | 中国科学院电工研究所 |
扫描频率 | 优于10MHZ |
数据传输速度 | 320MB/S |
信号处理器 | 采用DSP高性能信号处理器,信号处理能力优于30M, 支撑高效,高分辨的曝光结果 |
图像采集模块 | 12 位高性能,小温漂的ADC图形采集系统,信噪比优于69dB |
电源 | 线性电源和开关电源配合使用,输出纹波小,抗电磁干扰能力强 |
恒温模块 | 支撑系统优异的稳定性 |
显示屏 | 5.6寸液晶显示屏,可实时跟踪显示、直观的显示曝光进程 |
防电磁干扰 | 独立的X,Y模块,将干扰降到最小,同时进行隔离,屏蔽等处理 |
机箱 | 采用独立恒温电控抗干扰机箱,具有优异的热稳定性和电信号稳定性 |
操作界面 | 中文、英文 |
曝光跟踪控制系统 | 用于X和Y方向电子束偏转的两套16位高速数模转换和控制系统 |
输入接口 | 带有匹配的束闸输入接口 |
DY-2000A纳米图形发生器软件
软件技术参数
• 基于Windows中文操作系统的EBL应用软件,具有强大的图形编辑,界面简洁,容易操作,兼具读写及转换及图形导入等功能。
• 具有远程控制SEM/FIB/STEM的功能。
• 具有图像缩放和重叠功能,同时可实现快速图像采集,同步等等。
• 可实现位移,旋转,增益矫正刻写场,提升曝光结果的分辨率。
• 具有标记检测和位置修正,用于拼接和套刻对准。
• 具有曝光、工件台移动和束闸通断等功能控制。
• 可实现数据格式为DXF、CIF、ASCII等图形的读入和转换。
• 具有点控、线控、区域及非特征图形的控制。
电子束纳米曝光系统电子束加工工艺流程:
1). 清洗硅片2). 热氧化生长一层二氧化硅,进行衬底隔离,厚度约1um;3). 薄膜制备,GST(Ge-Sb-Te)与W采用磁控溅射法制备,SiN用CVD的方法制备,厚度为100nm4). 涂胶:PMMA(950k),浓度2%5). 曝光后显影:使用高对比度显影液(MIBK:IPA= 1:3)
衬底类型
涂胶转速(rpm)
旋涂时间(sec)
前烘方式
前烘温度(℃)
前烘时间(min)
抗蚀剂厚度(nm)
GST、W、SiN
4000
30
热板
180
10
120~150
电子束纳米曝光系统DY-2000A实验事例
一、FIB刻蚀的图形
二、电子束曝光的图形
场发射扫描电镜-ZEISS Sigma 300、500 技术参数
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品牌 : | 电子束纳米曝光系统 DY-2000A |
型号 : | DY-2000A |
加工定制 : | 否 |
类型 : | 电子束纳米曝光系统 |
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