¥188
起订量
≥1台
总供应
100台
所在地
陕西省西安市
ENI1220 IPM 测试系统
变流器专用IPM测试仪
系统概述 |
基础配置 |
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IPM,即智能功率模块,是先进的混合集成功率器件。一般使用IGBT作为功率开关元件,内部集成电流传感器及驱动电路的集成结构。 IPM模块需要测试的特性参数很多,其中最关键的测试参数为开关特性(时间特性)的测量。该系统在解决IPM的控制信号以及高速数据采集处理两个关键技术的条件下,是一套基于DSP及FPGA的高速实时测试系统。 |
电压 |
电流 |
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标配 |
选配 |
标配 |
选配 |
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1200V |
1000V |
200A |
200A |
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2200V |
400A |
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3300V |
600A |
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4500V |
1000A |
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6000V |
2000A |
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配置/短路测试 |
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电压 |
电流 |
短路测试 |
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标配 |
选配 |
标配 |
选配 |
项目 |
范围 |
误差 |
分辨率 |
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1200V |
2200V |
200A |
400A |
VPN |
100V1200V |
±3 |
10V |
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3300V |
600A |
测试电流 |
10A75A |
±3 |
1A |
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4500V |
1000A |
短路电流 |
100A500A |
±3 |
1A |
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6000V |
2000A |
短路时间 |
1 uS10uS |
可调 |
可调 |
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测试功能 |
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测试范围 |
测试参数 |
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IPM |
BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID, UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF), ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN, OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, TMEAS, VMEAS |
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IGBT |
ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT) |
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DIODE |
VF-Temp, Temp, VF revision |
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参数 / 精度 |
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静态参数 |
动态参数 |
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上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H) |
上 桥 开 关 参 数 |
集电极电压Vce: 1001200V, |
误差±3,分辨率10V |
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上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H) |
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上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH) |
集电极电流Ice: 1075A, |
误差±3,分辨率1A |
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上桥驱动IC高端静态工作电流测试 (Iqbs-U,V,W) |
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VD=VBS=15V, |
误差±3,分辨率0.1V |
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上桥欠压保护监测电平 (UVbsd-U V W) |
VIN=05V |
误差±3,分辨率0.1V |
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上桥欠压保护复位电平(UVbsr-U V W) |
ton-L : 10500nS, |
误差±3,分辨率1nS |
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上桥驱动IC导通阈值电压测试 (Vth(on)-UH VH WH) |
tc(on)-L :5200nS, |
误差±3,分辨率1nS |
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toff-L: 50500nS, |
误差±3,分辨率1nS |
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上桥驱动IC关断阈值电压测试 (Vth(off)-UH VH WH) |
tc(off)-L: 5200nS, |
误差±3,分辨率1nS |
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Trr-L :10500nS, |
误差±3,分辨率1nS |
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上桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UH VH WH) |
Eon-L :0.110mJ, |
误差±3,分辨率0.1mJ |
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上桥FRD正向压降测试(VF-(UH VH WH) |
Eoff-L: 0.110mJ |
误差±3,分辨率0.1mJ |
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下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L) |
下 桥 开 关 参 数 |
集电极电压Vce: 1001200V, |
误差±3,分辨率10V |
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下桥驱动IC静态工作电流测试(IDL) |
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故障输出电压测试(Vfoh Vfol) |
集电极电流Ice: 1075A, |
误差±3,分辨率1A |
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过流保护阈值电压测试(Vcin(ref)) |
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下桥欠压保护监测电平(UVdd) |
VD=VBS=15V, |
误差±3,分辨率0.1V |
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下桥欠压保护复位电平(UVdr) |
VIN=05V |
误差±3,分辨率0.1V |
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下桥驱动IC导通阈值电压 (Vth(on)-UL VL WL) |
ton-L : 10500nS, |
误差±3,分辨率1nS |
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tc(on)-L :5200nS, |
误差±3,分辨率1nS |
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下桥驱动IC关断阈值电压 (Vth(off)-UL VL WL) |
toff-L: 50500nS, |
误差±3,分辨率1nS |
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tc(off)-L: 5200nS, |
误差±3,分辨率1nS |
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下桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UL VL WL) |
Trr-L :10500nS, |
误差±3,分辨率1nS |
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下桥FRD正向压降测试(VF-(UL VL WL) |
Eon-L :0.110mJ, |
误差±3,分辨率0.1mJ |
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Eoff-L: 0.110mJ |
误差±3,分辨率0.1mJ |
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品牌 : | 易恩电气 |
型号 : | ENI1220 |
加工定制 : | 是 |
类型 : | 电参数测量仪 |
测量范围 : | IPM IGBT DIODE |
重量 : | 210KG |
尺寸 : | 800x800x1800 |
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