¥2.99
5-49个
¥1.99
50-499个
¥1.79
≥500个
起订量
≥5个
总供应
15000个
所在地
广东省深圳市
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 84A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 12 mOhm @ 50A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 130nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3210pF @ 25V |
功率 - 最大 | 200W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 60 V |
最大连续漏极电流 | 84 A |
RDS -于 | 12@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 12 ns |
典型上升时间 | 78 ns |
典型关闭延迟时间 | 48 ns |
典型下降时间 | 53 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 175 |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 12@10V |
最大漏源电压 | 60 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大功率耗散 | 200000 |
最大连续漏极电流 | 84 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 84A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
供应商设备封装 | TO-220AB |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 12 mOhm @ 50A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 200W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3210pF @ 25V |
其他名称 | *IRF1010EPBF |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 130nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
配置 | Single |
外形尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm |
身高 | 8.77mm |
长度 | 10.54mm |
最大漏源电阻 | 0.012 Ω |
最高工作温度 | +175 °C |
最大功率耗散 | 200 W |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | TO-220AB |
典型栅极电荷@ VGS | 130 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 3210 pF V @ 25 |
宽度 | 4.69mm |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | 81 A |
安装风格 | Through Hole |
功率耗散 | 170 W |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 86.6 nC |
Continuous Drain Current Id | :81A |
Drain Source Voltage Vds | :60V |
On Resistance Rds(on) | :12mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :4V |
功耗 | :170W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :175°C |
Transistor Case Style | :TO-220AB |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Current Id Max | :84A |
Current Temperature | :25°C |
Full Power Rating Temperature | :25°C |
Junction to Case Thermal Resistance A | :0.9°C/W |
引线间距 | :2.54mm |
No. of Transistors | :1 |
On State resistance @ Vgs = 10V | :12mohm |
工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
Pin Format | :1 g |
Pulse Current Idm | :330A |
端接类型 | :Through Hole |
Voltage Vds Typ | :60V |
Voltage Vgs Max | :4V |
Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
Weight (kg) | 0.002 |
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品牌 : | 原装 |
型号 : | IRF1010EPBF |
种类 : | 绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型 : | N沟道 |
导电方式 : | 增强型 |
封装 : | TO-220 |
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