原装IRF1010E IRF1010EPBF TO220场效应MOS管 全新现货

2.99

5-49个

1.99

50-499个

1.79

≥500个

起订量

≥5个

总供应

15000个

所在地

广东省深圳市

  • 图文详情
  • 产品属性
  • 标准包装50
    FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
    FET特点Standard
    漏极至源极电压(VDSS)60V
    电流-连续漏极(编号)@ 25°C84A
    Rds(最大)@ ID,VGS12 mOhm @ 50A, 10V
    VGS(TH)(最大)@ Id4V @ 250µA
    栅极电荷(Qg)@ VGS130nC @ 10V
    输入电容(Ciss)@ Vds的3210pF @ 25V
    功率 - 最大200W
    安装类型Through Hole
    包/盒TO-220-3
    供应商器件封装TO-220AB
    包装材料Tube
    包装3TO-220AB
    通道模式Enhancement
    最大漏源电压60 V
    最大连续漏极电流84 A
    RDS -于12@10V mOhm
    最大门源电压±20 V
    典型导通延迟时间12 ns
    典型上升时间78 ns
    典型关闭延迟时间48 ns
    典型下降时间53 ns
    工作温度-55 to 175 °C
    安装Through Hole
    标准包装Rail / Tube
    最大门源电压±20
    欧盟RoHS指令Compliant
    最高工作温度175
    标准包装名称TO-220
    最低工作温度-55
    渠道类型N
    最大漏源电阻12@10V
    最大漏源电压60
    每个芯片的元件数1
    供应商封装形式TO-220AB
    最大功率耗散200000
    最大连续漏极电流84
    引脚数3
    铅形状Through Hole
    FET特点Standard
    封装Tube
    安装类型Through Hole
    电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C84A (Tc)
    的Vgs(th ) (最大)@ Id4V @ 250µA
    漏极至源极电压(Vdss)60V
    供应商设备封装TO-220AB
    开态Rds(最大)@ Id ,V GS12 mOhm @ 50A, 10V
    FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
    功率 - 最大200W
    封装/外壳TO-220-3
    输入电容(Ciss ) @ VDS3210pF @ 25V
    其他名称*IRF1010EPBF
    闸电荷(Qg ) @ VGS130nC @ 10V
    RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
    类别Power MOSFET
    配置Single
    外形尺寸10.54 x 4.69 x 8.77mm
    身高8.77mm
    长度10.54mm
    最大漏源电阻0.012 Ω
    最高工作温度+175 °C
    最大功率耗散200 W
    最低工作温度-55 °C
    包装类型TO-220AB
    典型栅极电荷@ VGS130 nC V @ 10
    典型输入电容@ VDS3210 pF V @ 25
    宽度4.69mm
    工厂包装数量50
    晶体管极性N-Channel
    源极击穿电压20 V
    连续漏极电流81 A
    安装风格Through Hole
    功率耗散170 W
    漏源击穿电压60 V
    RoHSRoHS Compliant
    栅极电荷Qg86.6 nC
    Continuous Drain Current Id:81A
    Drain Source Voltage Vds:60V
    On Resistance Rds(on):12mohm
    Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
    Threshold Voltage Vgs:4V
    功耗:170W
    Operating Temperature Min:-55°C
    Operating Temperature Max:175°C
    Transistor Case Style:TO-220AB
    No. of Pins:3
    MSL:-
    SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
    Current Id Max:84A
    Current Temperature:25°C
    Full Power Rating Temperature:25°C
    Junction to Case Thermal Resistance A:0.9°C/W
    引线间距:2.54mm
    No. of Transistors:1
    On State resistance @ Vgs = 10V:12mohm
    工作温度范围:-55°C to +175°C
    Pin Format:1 g
    Pulse Current Idm:330A
    端接类型:Through Hole
    Voltage Vds Typ:60V
    Voltage Vgs Max:4V
    Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
    Weight (kg)0.002

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    品牌 : 原装
    型号 : IRF1010EPBF
    种类 : 绝缘栅(MOSFET)
    沟道类型 : N沟道
    导电方式 : 增强型
    封装 : TO-220
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