原装现货 SI3473CDV-T1-GE3 丝印AR SOT23-6 P沟道贴片 场效应MOSFET 电子元器件配单

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	3,000
FET 型	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	12V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	8A
Rds（最大）@ ID，VGS	22 mOhm @ 8.1A, 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id	1V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	65nC @ 8V
输入电容（Ciss）@ Vds的	2010pF @ 6V
功率 - 最大	4.2W
安装类型	Surface Mount
包/盒	6-TSOP (0.065, 1.65mm Width)
供应商器件封装	6-TSOP

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