FDP023N08B 75V TO-220插件场效应MOS出售原装深圳现货

FET特点	Logic Level Gate
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	120A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	3.8V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	75V
标准包装	50
供应商设备封装	TO-220
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	2.35 mOhm @ 75A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	245W
封装/外壳	TO-220-3
输入电容（Ciss ） @ VDS	13765pF @ 37.5V
闸电荷（Qg ） @ VGS	195nC @ 10V
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
连续漏极电流	242 A
下降时间	56 ns
单位重量	0.082753 oz
配置	Single
最高工作温度	+ 175 C
正向跨导 - 闵	185 S
RoHS	RoHS Compliant
典型关闭延迟时间	111 ns
源极击穿电压	20 V
系列	FDP023N08B
RDS（ON）	1.96 mOhms
安装风格	Through Hole
功率耗散	245 W
最低工作温度	- 55 C
上升时间	71 ns
漏源击穿电压	75 V
栅极电荷Qg	150 nC
栅源电压（最大值）	�20 V
工作温度范围	-55C to 175C
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
通道模式	Enhancement
漏源导通电压	75 V
弧度硬化	No

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