贴片三极管 TO-252 出售原装 2SD882 支持BOM表配单D882M 晶体管 电子元器件配单

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
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标准包装	50
晶体管类型	NPN
- 集电极电流（Ic）（最大）	3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	30V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	1.1V @ 150mA, 3A
电流 - 集电极截止（最大）	100µA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	100 @ 100mA, 2V
功率 - 最大	12.5W
频率转换	100MHz
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装	SOT-32-3
包装材料	Tube
包装	3SOT-32
类型	NPN
引脚数	3
最大集电极发射极电压	30 V
集电极最大直流电流	3 A
最小直流电流增益	100@100mA@2V|80@1A@2V|30@3A@2V
最大工作频率	100(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压	0.4@50mA@1A|0.7@100mA@2A|1.1@150mA@3A V
最大集电极基极电压	60 V
工作温度	-65 to 150 °C
最大功率耗散	12500 mW
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
集电极最大直流电流	3
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
标准包装名称	TO-126
最低工作温度	-65
最大功率耗散	12500
最大基地发射极电压	5
Maximum Transition Frequency	100(Typ)
封装	Tube
每个芯片的元件数	1
最大集电极基极电压	60
供应商封装形式	SOT-32
最大集电极发射极电压	30
铅形状	Through Hole
单位包	50
最小起订量	6000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	3A
晶体管类型	NPN
安装类型	Through Hole
频率 - 转换	100MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	1.1V @ 150mA, 3A
电流 - 集电极截止（最大）	100µA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	30V
供应商设备封装	SOT-32-3
功率 - 最大	12.5W
封装/外壳	TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	100 @ 100mA, 2V
其他名称	497-4821-5
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Bipolar Power
配置	Single
外形尺寸	10.8 x 7.8 x 2.7mm
身高	10.8mm
长度	7.8mm
最大的基射极饱和电压	1.2 V
最大基地发射极电压	5 V
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-65 °C
包装类型	SOT-32
宽度	2.7mm
工厂包装数量	2000
增益带宽产品fT	100 MHz
产品种类	Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性	NPN
发射极 - 基极电压VEBO	5 V
直流集电极/增益hfe最小值	100
集电极 - 发射极最大电压VCEO	30 V
安装风格	SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO	60 V
RoHS	RoHS Compliant
Collector Emitter Voltage V(br)ceo	:30V
Transition Frequency ft	:100MHz
功耗	:12.5W
DC Collector Current	:3A
DC Current Gain hFE	:100
Operating Temperature Min	:-65°C
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:SOT-32
No. of Pins	:3
MSL	:-
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
Collector Emitter Voltage Vces	:400mV
Current Ic Continuous a Max	:1A
Gain Bandwidth ft Typ	:100MHz
Hfe Min	:100
工作温度范围	:-65°C to +150°C
端接类型	:Through Hole
Weight (kg)	0.00195

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