¥2.50
起订量
≥5PCS
总供应
6500PCS
所在地
广东省深圳市
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 5.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 600 mOhm @ 4.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | - |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 530pF @ 25V |
功率 - 最大 | 40W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
包装材料 | Tube |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | RoHS Compliant |
晶体管极性 | N-Channel |
漏源击穿电压 | 200 V |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 5.5 A |
抗漏源极RDS ( ON) | 0.6 Ohms |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-220AB |
封装 | Tube |
下降时间 | 30 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 40 W |
上升时间 | 40 ns |
工厂包装数量 | 50 |
典型关闭延迟时间 | 55 ns |
零件号别名 | BUZ73AXK |
寿命 | Obsolete |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 5.5A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 1mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
标准包装 | 500 |
供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 600 mOhm @ 4.5A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 40W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 530pF @ 25V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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品牌 : | SIEMENS/西门子 |
型号 : | BUZ73A |
应用范围 : | 功率 |
封装形式 : | TO-220 |
功率 - 最大 : | 40W |
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