科晶提供低压PECVD法石墨烯制备设备

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起订量

≥1台

总供应

20台

所在地

江苏省苏州市

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  • 科晶提供低压PECVD法石墨烯制备设备

    产品简介此款设备配有Plasma实现等离子增强,滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处,使样品能得到一个快速的升温速度,同样也可将高温的管式炉直接推离样品处,使样品直接暴露在室温环境下,得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置,可准确的控制反应腔体内部的气体压力,带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用,工艺重复性好对于石墨烯生长工艺非常合适,也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。

    主要功能和特点:

    1、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相;

    2、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量;

    3、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率;

    4、能广泛用于:石墨烯、SiOxSiNxCNxTiCxNy等薄膜的生长。

    参数简介:

     

     

     

    反应室

    炉管尺寸

    φ60/100/150mm

    加热元件

    HRE合金丝

    测温元件

    N型热电偶

    加热长度

    440/600/900mm

    工作温度

    ≤1100℃

    控温模式

    模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能

    控温精度

    ±1℃

    升温速率

    ≤20℃/min

    电功率

    AC220V/50HZ

    供气系统

    标准量程

    50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(Ar、N2);

    压力表测量范围

    -0.1Mpa~0.15Mpa

    极限压力

    3MPa

    针阀

    316不锈钢

    截止阀

    Φ6mm 316不锈钢针阀

    电功率

    AC220V/50HZ/20W

    响应时间

    气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec

    准确度

    ±1.5%

    线性

    ±0.5~1.5%

    重复精度

    ±0.2%

    接口

    Φ6,1/4''

    真空系统

    工作电电压

    220V±10%  50~60HZ

    功率

    400W

    抽气速率

    4L\s

    极限真空

    4X10-2Pa

    实验真空度

    1.0X10-1Pa

    容油量

    1.1L

    进气口口径

    KF25

    排气口口径

    KF25

    转速

    1450rpm

    射频电源

    信号频率

    13.56 MHz±0.005%

    功率输出范围

    3W-300W   5W-500W可选

    最大反射功率

    200W

    射频输出接口

    50 Ω, N-type, female

    功率稳定度

    ±0.1%

    谐波分量

    ≤-50dbc

    供电电压

    单相交流(187V-253V) 频率50/60HZ

    整机效率

    >=70%

    功率因素

    >=90%

    冷却方式

    强制风冷

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    加工定制 :
    品牌 : 科晶
    型号 : PECVD
    功率 : 19kW
    最大电压 : 380V
    额定温度 : 1100℃
    主要用途 : 薄膜生长设备
    产品认证 : CE
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