IRF830 TO-220 场效应MOSFET 出售原装 深圳现货供应 IRF830PBF

标准包装	1,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	500V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	4.5A
Rds（最大）@ ID，VGS	1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	38nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	610pF @ 25V
功率 - 最大	74W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
包装材料	Tube
包装	3TO-220AB
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	500 V
最大连续漏极电流	4.5 A
RDS -于	1500@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	8.2 ns
典型上升时间	16 ns
典型关闭延迟时间	42 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Through Hole
标准包装	Bulk
最大门源电压	±20
包装宽度	4.7(Max)
PCB	3
最大功率耗散	74000
最大漏源电压	500
欧盟RoHS指令	Not Compliant
最大漏源电阻	1500@10V
每个芯片的元件数	1
最低工作温度	-55
供应商封装形式	TO-220AB
标准包装名称	TO-220
最高工作温度	150
渠道类型	N
包装长度	10.41(Max)
引脚数	3
包装高度	9.01(Max)
最大连续漏极电流	4.5
标签	Tab
铅形状	Through Hole
单位包	0
最小起订量	1
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	4.5A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	4V @ 250µA
封装/外壳	TO-220-3
供应商设备封装	TO-220AB
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	74W
漏极至源极电压（Vdss）	500V
输入电容（Ciss ） @ VDS	610pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	38nC @ 10V
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant
工厂包装数量	1000
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
配置	Single
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	4.5 A
安装风格	Through Hole
RDS（ON）	1.5 Ohms
功率耗散	74 W
最低工作温度	- 55 C
上升时间	16 ns
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	500 V
RoHS	No
下降时间	16 ns
栅源电压（最大值）	�20 V
漏源导通电阻	1.5 ohm
工作温度范围	-55C to 150C
包装类型	TO-220AB
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏源导通电压	500 V
弧度硬化	No
删除	Not Compliant
品牌	Vishay Semiconductors
身高	15.49 mm
宽度	4.7 mm
长度	10.41 mm
技术	Si

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