NE555DR NE555 SOP8贴片 双时基电路芯片 全新现货

                        

 NE555DR NE555 SOP8贴片 双时基电路芯片  全新现货

	MMBT5401LT1,3
文档	Copper Wire 19/May/2010
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知	Copper Wire Change 19/May/2010
标准包装	10
晶体管类型	PNP
- 集电极电流（Ic）（最大）	100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	150V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	500mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大）	50nA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	60 @ 10mA, 5V
功率 - 最大	225mW
频率转换	300MHz
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装	SOT-23-3 (TO-236)
包装材料	Cut Tape (CT)
集电极最大直流电流	0.5
最小直流电流增益	50@1mA@5V|60@10mA@5V|50@50mA@5V
最高工作温度	150
标准包装名称	SOT-23
最低工作温度	-55
最大功率耗散	300
最大基地发射极电压	5
Maximum Transition Frequency	300
封装	Tape and Reel
每个芯片的元件数	1
最大集电极基极电压	160
供应商封装形式	SOT-23
最大集电极发射极电压	150
类型	PNP
引脚数	3
铅形状	Gull-wing
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	100mA
晶体管类型	PNP
安装类型	Surface Mount
频率 - 转换	300MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	500mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大）	50nA
标准包装	10
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	150V
供应商设备封装	SOT-23-3 (TO-236)
功率 - 最大	225mW
封装/外壳	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	60 @ 10mA, 5V
其他名称	MMBT5401LT1OSCT
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant

    

 

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