STB11NM60FDT4 STB11NM60 TO-263 MOS管场效应管 出售原装

标准包装	1,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	600V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	11A
Rds（最大）@ ID，VGS	450 mOhm @ 5.5A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	40nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	900pF @ 25V
功率 - 最大	160W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装	D2PAK
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	3D2PAK
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	600 V
最大连续漏极电流	11 A
RDS -于	450@10V mOhm
最大门源电压	±30 V
典型导通延迟时间	20 ns
典型上升时间	16 ns
典型下降时间	15 ns
工作温度	-65 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
最大门源电压	±30
包装宽度	9.35(Max)
PCB	2
最大功率耗散	160000
最大漏源电压	600
欧盟RoHS指令	Compliant
最大漏源电阻	450@10V
每个芯片的元件数	1
最低工作温度	-65
供应商封装形式	D2PAK
标准包装名称	D2PAK
最高工作温度	150
渠道类型	N
包装长度	10.4(Max)
引脚数	3
包装高度	4.6(Max)
最大连续漏极电流	11
封装	Tape and Reel
标签	Tab
铅形状	Gull-wing
P（ TOT ）	160W
匹配代码	STB11NM60FDT4
R（ THJC ）	0.78K/W
LogicLevel	NO
单位包	1000
标准的提前期	14 weeks
最小起订量	1000
Q（克）	40nC
无铅Defin	RoHS-conform
汽车	NO
我（D ）	11A
V（ DS ）	600V
技术	FDmesh
的RDS（on ） at10V	0.45Ohm
FET特点	Standard
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	11A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	5V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	600V
供应商设备封装	D2PAK
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	450 mOhm @ 5.5A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	160W
封装/外壳	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容（Ciss ） @ VDS	900pF @ 25V
其他名称	497-3511-2
闸电荷（Qg ） @ VGS	40nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	1000
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
配置	Single
源极击穿电压	+/- 30 V
连续漏极电流	11 A
正向跨导 - 闵	5.2 S
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	450 mOhms
功率耗散	160 W
最低工作温度	- 65 C
上升时间	16 ns
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	600 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	15 ns
栅源电压（最大值）	�30 V
漏源导通电阻	0.45 ohm
工作温度范围	-65C to 150C
包装类型	D2PAK
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏源导通电压	600 V
弧度硬化	No

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