2SK2610 出售原装 硅N沟道MOS场效应管 深圳现货供应

标准包装	50
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	900V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	5A
Rds（最大）@ ID，VGS	2.5 Ohm @ 3A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 1mA
栅极电荷（Qg）@ VGS	45nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1200pF @ 25V
功率 - 最大	150W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装	TO-3P(N)
包装材料	Tube
最大门源电压	±30
欧盟RoHS指令	Not Compliant
最高工作温度	150
通道模式	Enhancement
标准包装名称	TO-3PN
最低工作温度	-55
渠道类型	N
最大漏源电阻	2500@10V
最大漏源电压	900
每个芯片的元件数	1
供应商封装形式	TO-3PN
最大功率耗散	150000
最大连续漏极电流	5
引脚数	3

 

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