FDD4141 原装正品 TO-252 贴片三极管 专业配单 现货供应

标准包装	2,500
FET 型	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	40V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	10.8A
Rds（最大）@ ID，VGS	12.3 mOhm @ 12.7A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	3V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	50nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	2775pF @ 20V
功率 - 最大	2.4W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装	TO-252
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	3TO-252
渠道类型	P
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	40 V
最大连续漏极电流	10.8 A
RDS -于	12.3@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	10 ns
典型上升时间	7 ns
典型关闭延迟时间	38 ns
典型下降时间	15 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Cut Tape
标准包装	Tape & Reel
最大门源电压	±20
包装宽度	6.22(Max)
PCB	2
最大功率耗散	2400
最大漏源电压	40
欧盟RoHS指令	Compliant
最大漏源电阻	12.3@10V
每个芯片的元件数	1
最低工作温度	-55
供应商封装形式	TO-252
标准包装名称	DPAK
最高工作温度	150
包装长度	6.73(Max)
引脚数	3
包装高度	2.39(Max)
最大连续漏极电流	10.8
封装	Tape and Reel
标签	Tab
铅形状	Gull-wing
FET特点	Logic Level Gate
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	10.8A (Ta), 50A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	3V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	40V
供应商设备封装	TO-252
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	12.3 mOhm @ 12.7A, 10V
FET型	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	2.4W
输入电容（Ciss ） @ VDS	2775pF @ 20V
闸电荷（Qg ） @ VGS	50nC @ 10V
封装/外壳	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	FDD4141CT
漏极电流（最大值）	10.8 A
频率（最大）	Not Required MHz
栅源电压（最大值）	�20 V
输出功率（最大）	Not Required W
功率耗散	2.4 W
噪声系数	Not Required dB
漏源导通电阻	12.3 ohm
工作温度范围	-55C to 150C
包装类型	TO-252
极性	P
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏极效率	Not Required %
漏源导通电压	40 V
功率增益	Not Required dB
弧度硬化	No
连续漏极电流	10.8 A
晶体管极性	:P Channel
Continuous Drain Current Id	:-50A
Drain Source Voltage Vds	:-40V
On Resistance Rds(on)	:0.0101ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:-10V
Threshold Voltage Vgs	:-1.8V
功耗	:69W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:TO-252
No. of Pins	:3
MSL	:MSL 1 - Unlimited
SVHC	:No SVHC (16-Dec-2013)

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