IXFH26N50Q 出售原装 TO247场效应管MOSFET 500V 26A 深圳现货供应

标准包装	30
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	500V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	26A
Rds（最大）@ ID，VGS	200 mOhm @ 13A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4.5V @ 4mA
栅极电荷（Qg）@ VGS	95nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	3900pF @ 25V
功率 - 最大	300W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-247-3
供应商器件封装	TO-247AD
包装材料	Tube
动态目录	N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16390?mpart=IXFH26N50Q&vendor=238&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
最大门源电压	±20
安装	Through Hole
包装宽度	5.3(Max)
PCB	3
最大功率耗散	300000
最大漏源电压	500
欧盟RoHS指令	Compliant
最大漏源电阻	200@10V
每个芯片的元件数	1
最低工作温度	-55
供应商封装形式	TO-247AD
标准包装名称	TO-247-AD
最高工作温度	150
渠道类型	N
包装长度	16.26(Max)
引脚数	3
通道模式	Enhancement
包装高度	21.46(Max)
最大连续漏极电流	26
标签	Tab
铅形状	Through Hole
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	26A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	4.5V @ 4mA
漏极至源极电压（Vdss）	500V
供应商设备封装	TO-247AD
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	200 mOhm @ 13A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	300W
标准包装	30
输入电容（Ciss ） @ VDS	3900pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	95nC @ 10V
封装/外壳	TO-247-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	30
晶体管极性	N-Channel
连续漏极电流	26 A
封装/外壳	TO-247AD
下降时间	16 ns
产品种类	MOSFET
单位重量	0.229281 oz
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
正向跨导 - 闵	24 s
RoHS	RoHS Compliant
典型关闭延迟时间	55 ns
源极击穿电压	+/- 20 V
系列	IXFH26N50
RDS（ON）	200 mOhms
安装风格	Through Hole
功率耗散	300 W
最低工作温度	- 55 C
上升时间	30 ns
漏源击穿电压	500 V
漏极电流（最大值）	26 A
频率（最大）	Not Required MHz
栅源电压（最大值）	�20 V
输出功率（最大）	Not Required W
噪声系数	Not Required dB
漏源导通电阻	0.2 ohm
工作温度范围	-55C to 150C
包装类型	TO-247AD
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏极效率	Not Required %
漏源导通电压	500 V
功率增益	Not Required dB
弧度硬化	No

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