现货供应 IRFB0APBF FB0A TO-220 600V/6.2A N 沟道场效应 出售原装IRFBC40APBF

3.50

10-99PCS

2.90

≥100PCS

起订量

≥10PCS

总供应

50000PCS

所在地

广东省深圳市

  • 图文详情
  • 产品属性
  • 标准包装1,000
    FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
    FET特点Standard
    漏极至源极电压(VDSS)600V
    电流-连续漏极(编号)@ 25°C6.2A
    Rds(最大)@ ID,VGS1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
    VGS(TH)(最大)@ Id4V @ 250µA
    栅极电荷(Qg)@ VGS42nC @ 10V
    输入电容(Ciss)@ Vds的1036pF @ 25V
    功率 - 最大125W
    安装类型Through Hole
    包/盒TO-220-3
    供应商器件封装TO-220AB
    包装材料Tube
    包装3TO-220AB
    通道模式Enhancement
    最大漏源电压600 V
    最大连续漏极电流6.2 A
    RDS -于1200@10V mOhm
    最大门源电压±30 V
    典型导通延迟时间13 ns
    典型上升时间23 ns
    典型关闭延迟时间31 ns
    典型下降时间18 ns
    工作温度-55 to 150 °C
    安装Through Hole
    标准包装Rail / Tube
    最大门源电压±30
    包装宽度4.65(Max)
    PCB3
    最大功率耗散125000
    最大漏源电压600
    欧盟RoHS指令Compliant
    最大漏源电阻1200@10V
    每个芯片的元件数1
    最低工作温度-55
    供应商封装形式TO-220AB
    标准包装名称TO-220
    最高工作温度150
    渠道类型N
    包装长度10.51(Max)
    引脚数3
    包装高度9.01(Max)
    最大连续漏极电流6.2
    标签Tab
    铅形状Through Hole
    P( TOT )125W
    匹配代码IRFBC40APBF
    R( THJC )1.0K/W
    LogicLevelNO
    单位包50
    标准的提前期14 weeks
    最小起订量1000
    Q(克)42nC
    无铅DefinRoHS-conform
    汽车NO
    我(D )6.2A
    V( DS )600V
    技术HighV.
    的RDS(on ) at10V1.2Ohm
    FET特点Standard
    封装Tube
    安装类型Through Hole
    电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C6.2A (Tc)
    的Vgs(th ) (最大)@ Id4V @ 250µA
    封装/外壳TO-220-3
    供应商设备封装TO-220AB
    其他名称*IRFBC40APBF
    开态Rds(最大)@ Id ,V GS1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
    FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
    功率 - 最大125W
    漏极至源极电压(Vdss)600V
    输入电容(Ciss ) @ VDS1036pF @ 25V
    闸电荷(Qg ) @ VGS42nC @ 10V
    RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
    类别Power MOSFET
    配置Single
    外形尺寸10.41 x 4.7 x 9.01mm
    身高9.01mm
    长度10.41mm
    最大漏源电阻1.2 Ω
    最高工作温度+150 °C
    最大功率耗散125 W
    最低工作温度-55 °C
    包装类型TO-220AB
    典型栅极电荷@ VGS42 nC V @ 10
    典型输入电容@ VDS1036 pF V @ 25
    宽度4.7mm
    工厂包装数量1000
    产品种类MOSFET
    晶体管极性N-Channel
    源极击穿电压+/- 30 V
    连续漏极电流6.2 A
    安装风格Through Hole
    RDS(ON)1.2 Ohms
    功率耗散125 W
    上升时间23 ns
    漏源击穿电压600 V
    RoHSRoHS Compliant By Exemption
    下降时间18 ns
    漏极电流(最大值)6.2 A
    频率(最大)Not Required MHz
    栅源电压(最大值)�30 V
    输出功率(最大)Not Required W
    噪声系数Not Required dB
    漏源导通电阻1.2 ohm
    工作温度范围-55C to 150C
    极性N
    类型Power MOSFET
    元件数1
    工作温度分类Military
    漏极效率Not Required %
    漏源导通电压600 V
    功率增益Not Required dB
    弧度硬化No
    删除Compliant
    Continuous Drain Current Id:6.2A
    Drain Source Voltage Vds:600V
    On Resistance Rds(on):1.2ohm
    Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
    Threshold Voltage Vgs:4V
    功耗:125W
    Operating Temperature Min:-55°C
    Operating Temperature Max:150°C
    Transistor Case Style:TO-220AB
    No. of Pins:3
    MSL:-
    Current Id Max:6.2A
    Current Temperature:25°C
    Full Power Rating Temperature:25°C
    Junction to Case Thermal Resistance A:1.3°C/W
    No. of Transistors:1
    工作温度范围:-55°C to +150°C
    Pulse Current Idm:25A
    端接类型:Through Hole
    Voltage Vds Typ:600V
    Voltage Vgs Max:30V
    Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
    Voltage Vgs th Max:4V

    电子元器件专业配套 配套范围内:

    集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅 

    另外电容电阻(支持拆样)开关插座 端子排针 蜂鸣器 LED 数码管 电位器等全系列元件! 

    为了更好的解决您的问题,请您务必在下单前,将产品的封装,后缀告诉我们,

    以便我们能准确迅速的为您查询,由于采购批量与样品的价格不同,网上无法统一注明,

    有时元器件厂商价格稍许变动,本公司未能及时调整,如您觉得价格偏高请与我们说明议价,我们会根据市场情况给您相应的优惠,同时利用我司销售多年电子元件的经验,为您解决假货、价高、种类多等一系列问题!为客户提供100%正品货源,及优势价格是我们的职责!感谢支持!

    源自:深圳市铭顺信电子有限公司

    官网:www.msxic.cn

    您身边的专业电子元器件配套供应商

    联系方式:

    电话:0755-82579485 廖先生

    QQ:2355513224

    真诚期待与您合作共赢!

     

    搜好货厂家深圳市铭顺信电子有限公司为您提供现货供应 IRFB0APBF FB0A TO-220 600V/6.2A N 沟道场效应 出售原装IRFBC40APBF的详细产品价格、产品图片等产品介绍信息,您可以直接联系厂家获取现货供应 IRFB0APBF FB0A TO-220 600V/6.2A N 沟道场效应 出售原装IRFBC40APBF的具体资料,联系时请说明是在搜好货网看到的。

    品牌 : 原装
    型号 : IRFBC40APBF
    种类 : 绝缘栅(MOSFET)
    沟道类型 : N沟道
    导电方式 : 增强型
    类型 : 其他IC
    封装 : TO-220
    精品推荐
    您还可以找
    搜好货网 > 深圳市铭顺信电子有限公司 > 现货供应 IRFB0APBF FB0A TO-220 600V/6.2A N 沟道场效应 出售原装IRFBC40APBF