¥3.50
10-99PCS
¥2.90
≥100PCS
起订量
≥10PCS
总供应
50000PCS
所在地
广东省深圳市
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 600V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 6.2A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 42nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1036pF @ 25V |
功率 - 最大 | 125W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 600 V |
最大连续漏极电流 | 6.2 A |
RDS -于 | 1200@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 13 ns |
典型上升时间 | 23 ns |
典型关闭延迟时间 | 31 ns |
典型下降时间 | 18 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±30 |
包装宽度 | 4.65(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 125000 |
最大漏源电压 | 600 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 1200@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
标准包装名称 | TO-220 |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 10.51(Max) |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 9.01(Max) |
最大连续漏极电流 | 6.2 |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
P( TOT ) | 125W |
匹配代码 | IRFBC40APBF |
R( THJC ) | 1.0K/W |
LogicLevel | NO |
单位包 | 50 |
标准的提前期 | 14 weeks |
最小起订量 | 1000 |
Q(克) | 42nC |
无铅Defin | RoHS-conform |
汽车 | NO |
我(D ) | 6.2A |
V( DS ) | 600V |
技术 | HighV. |
的RDS(on ) at10V | 1.2Ohm |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6.2A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
其他名称 | *IRFBC40APBF |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 125W |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1036pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 42nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
配置 | Single |
外形尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm |
身高 | 9.01mm |
长度 | 10.41mm |
最大漏源电阻 | 1.2 Ω |
最高工作温度 | +150 °C |
最大功率耗散 | 125 W |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | TO-220AB |
典型栅极电荷@ VGS | 42 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 1036 pF V @ 25 |
宽度 | 4.7mm |
工厂包装数量 | 1000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 30 V |
连续漏极电流 | 6.2 A |
安装风格 | Through Hole |
RDS(ON) | 1.2 Ohms |
功率耗散 | 125 W |
上升时间 | 23 ns |
漏源击穿电压 | 600 V |
RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
下降时间 | 18 ns |
漏极电流(最大值) | 6.2 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �30 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 1.2 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 600 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
删除 | Compliant |
Continuous Drain Current Id | :6.2A |
Drain Source Voltage Vds | :600V |
On Resistance Rds(on) | :1.2ohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :4V |
功耗 | :125W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-220AB |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
Current Id Max | :6.2A |
Current Temperature | :25°C |
Full Power Rating Temperature | :25°C |
Junction to Case Thermal Resistance A | :1.3°C/W |
No. of Transistors | :1 |
工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
Pulse Current Idm | :25A |
端接类型 | :Through Hole |
Voltage Vds Typ | :600V |
Voltage Vgs Max | :30V |
Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
Voltage Vgs th Max | :4V |
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集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅
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品牌 : | 原装 |
型号 : | IRFBC40APBF |
种类 : | 绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型 : | N沟道 |
导电方式 : | 增强型 |
类型 : | 其他IC |
封装 : | TO-220 |
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