FCP9N60N 出售原装 N沟道场效应管TO220 深圳现货供应

标准包装	400
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	600V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	9A
Rds（最大）@ ID，VGS	385 mOhm @ 4.5A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	29nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1240pF @ 100V
功率 - 最大	88.3W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220
包装材料	Tube
包装	3TO-220AB
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	600 V
最大连续漏极电流	9 A
RDS -于	385@10V mOhm
最大门源电压	±30 V
典型导通延迟时间	12.7 ns
典型上升时间	8.7 ns
典型关闭延迟时间	36.9 ns
典型下降时间	10.2 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
最大门源电压	±30
包装宽度	4.83(Max)
PCB	3
最大功率耗散	83300
最大漏源电压	600
欧盟RoHS指令	Compliant
最大漏源电阻	385@10V
每个芯片的元件数	1
最低工作温度	-55
供应商封装形式	TO-220AB
标准包装名称	TO-220
最高工作温度	150
渠道类型	N
包装长度	10.67(Max)
引脚数	3
包装高度	9.4(Max)
最大连续漏极电流	9
封装	Rail
标签	Tab
铅形状	Through Hole
FET特点	Standard
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	9A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	4V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	600V
供应商设备封装	TO-220
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	385 mOhm @ 4.5A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	88.3W
封装/外壳	TO-220-3
输入电容（Ciss ） @ VDS	1240pF @ 100V
闸电荷（Qg ） @ VGS	29nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
配置	Single
外形尺寸	10.67 x 4.83 x 9.4mm
身高	9.4mm
长度	10.67mm
最大漏源电阻	0.385 Ω
最高工作温度	+150 °C
最大功率耗散	83.3 W
最低工作温度	-55 °C
包装类型	TO-220
典型栅极电荷@ VGS	22 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS	930 pF V @ 100
宽度	4.83mm
工厂包装数量	400
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
连续漏极电流	5.7 A
正向跨导 - 闵	7.5 S
单位重量	0.063493 oz
RDS（ON）	330 mOhms
功率耗散	83.3 W
系列	FCP9N60N
上升时间	8.7 ns
漏源击穿电压	600 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	10.2 ns
Continuous Drain Current Id	:9A
Drain Source Voltage Vds	:600V
On Resistance Rds(on)	:0.33ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:10V
Threshold Voltage Vgs	:2V
功耗	:83.3W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:TO-220
No. of Pins	:3
MSL	:MSL 1 - Unlimited
SVHC	:No SVHC (16-Dec-2013)
工作温度范围	:-55°C to +150°C
Pulse Current Idm	:27A

 

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