IRF610 TO220 出售原装 MOSFET 场效应管 深圳现货供应

标准包装	1,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	200V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	3.3A
Rds（最大）@ ID，VGS	1.5 Ohm @ 2A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	8.2nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	140pF @ 25V
功率 - 最大	36W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
包装材料	Tube
包装	3TO-220AB
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	200 V
最大连续漏极电流	3.3 A
RDS -于	1500@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	8.2 ns
典型上升时间	17 ns
典型关闭延迟时间	14 ns
典型下降时间	8.9 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
标准包装	Bulk
最大门源电压	±20
最大漏源电压	200
最高工作温度	150
包装宽度	4.65(Max)
标准包装名称	TO-220
包装高度	9.01(Max)
最大功率耗散	3000
渠道类型	N
最大漏源电阻	1500@10V
最低工作温度	-55
每个芯片的元件数	1
标签	Tab
供应商封装形式	TO-220AB
包装长度	10.51(Max)
PCB	3
最大连续漏极电流	3.3
引脚数	3
铅形状	Through Hole
单位包	0
最小起订量	1
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	3.3A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	4V @ 250µA
封装/外壳	TO-220-3
供应商设备封装	TO-220AB
其他名称	*IRF610
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	1.5 Ohm @ 2A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	36W
漏极至源极电压（Vdss）	200V
输入电容（Ciss ） @ VDS	140pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	8.2nC @ 10V
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant
工厂包装数量	1000
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
配置	Single
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	2.3 A
安装风格	Through Hole
RDS（ON）	1.5 Ohms
功率耗散	36 W
最低工作温度	- 55 C
上升时间	17 ns
最高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	200 V
RoHS	No
下降时间	8.9 ns

 

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