出售原装 STD12NF06L 12N06 N沟道MOS管TO-252封装12A/60V 现货供应

标准包装	75
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	12A
Rds（最大）@ ID，VGS	100 mOhm @ 6A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	2V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	10nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	350pF @ 25V
功率 - 最大	30W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
供应商器件封装	I-Pak
包装材料	Tube
包装	3IPAK
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	60 V
最大连续漏极电流	12 A
RDS -于	100@10V mOhm
最大门源电压	±16 V
典型导通延迟时间	10 ns
典型上升时间	35 ns
典型关闭延迟时间	20 ns
典型下降时间	13 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
最大门源电压	±16
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	175
标准包装名称	IPAK
最低工作温度	-55
渠道类型	N
封装	Tube
最大漏源电阻	100@10V
最大漏源电压	60
每个芯片的元件数	1
供应商封装形式	IPAK
最大功率耗散	30000
最大连续漏极电流	12
引脚数	3
铅形状	Through Hole
FET特点	Logic Level Gate
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	12A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	2V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	60V
供应商设备封装	I-Pak
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	100 mOhm @ 6A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	30W
输入电容（Ciss ） @ VDS	350pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	10nC @ 5V
封装/外壳	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	75
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
配置	Single
源极击穿电压	+/- 16 V
连续漏极电流	12 A
正向跨导 - 闵	7 S
安装风格	Through Hole
RDS（ON）	100 mOhms
功率耗散	30 W
最低工作温度	- 55 C
封装/外壳	IPAK
上升时间	35 ns
最高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	60 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	13 ns
栅源电压（最大值）	�16 V
漏源导通电阻	0.1 ohm
工作温度范围	-55C to 175C
包装类型	IPAK
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏源导通电压	60 V
弧度硬化	No

 

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