SPB11N60C3 11n60c3 TO-263 11A 650V场效应 出售原装 深圳现货供应

4.50

10-99个

3.99

≥100个

起订量

≥10个

总供应

5000个

所在地

广东省深圳市

  • 图文详情
  • 产品属性
  • 标准包装1,000
    FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
    FET特点Standard
    漏极至源极电压(VDSS)650V
    电流-连续漏极(编号)@ 25°C11A
    Rds(最大)@ ID,VGS380 mOhm @ 7A, 10V
    VGS(TH)(最大)@ Id3.9V @ 500µA
    栅极电荷(Qg)@ VGS60nC @ 10V
    输入电容(Ciss)@ Vds的1200pF @ 25V
    功率 - 最大125W
    安装类型Surface Mount
    包/盒TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    供应商器件封装PG-TO263-3
    包装材料Tape & Reel (TR)
    包装3TO-263
    通道模式Enhancement
    最大漏源电压600 V
    最大连续漏极电流11 A
    RDS -于380@10V mOhm
    最大门源电压±20 V
    典型导通延迟时间10 ns
    典型上升时间5 ns
    典型关闭延迟时间44 ns
    工作温度-55 to 150 °C
    安装Surface Mount
    标准包装Tape & Reel
    P( TOT )125W
    匹配代码SPB11N60C3
    R( THJC )1K/W
    LogicLevelNO
    单位包1000
    标准的提前期14 weeks
    最小起订量1000
    Q(克)60nC
    LLRDS (上)n.s.Ohm
    汽车NO
    LLRDS (上)在n.s.V
    我(D )11A
    V( DS )600V
    技术CoolMOS C3
    的RDS(on ) at10V0.38Ohm
    无铅DefinRoHS-conform
    FET特点Standard
    封装Tape & Reel (TR)
    安装类型Surface Mount
    电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C11A (Tc)
    的Vgs(th ) (最大)@ Id3.9V @ 500µA
    漏极至源极电压(Vdss)650V
    供应商设备封装PG-TO263-3
    开态Rds(最大)@ Id ,V GS380 mOhm @ 7A, 10V
    FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
    功率 - 最大125W
    输入电容(Ciss ) @ VDS1200pF @ 25V
    闸电荷(Qg ) @ VGS60nC @ 10V
    封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
    其他名称SPB11N60C3INDKR
    类别Power MOSFET
    渠道类型N
    外形尺寸10.31 x 9.45 x 4.57mm
    身高4.57mm
    长度10.31mm
    最大漏源电阻0.38 Ω
    最高工作温度+150 °C
    最大功率耗散125 W
    最低工作温度-55 °C
    每个芯片的元件数1
    包装类型PG-TO-263
    引脚数3
    典型栅极电荷@ VGS45 nC V @ 10
    典型输入电容@ VDS1200 pF V @ 25
    宽度9.45mm
    工厂包装数量1000
    晶体管极性N-Channel
    连续漏极电流11 A
    封装/外壳TO-263
    零件号别名SP000013519 SPB11N60C3ATMA1
    下降时间5 ns
    安装风格SMD/SMT
    产品种类MOSFET
    商品名CoolMOS
    配置Single
    RoHSRoHS Compliant
    源极击穿电压+/- 20 V
    系列SPB11N60
    RDS(ON)380 mOhms
    功率耗散125 W
    上升时间5 ns
    漏源击穿电压600 V
    Continuous Drain Current Id:11A
    Drain Source Voltage Vds:650V
    On Resistance Rds(on):0.34ohm
    Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
    Threshold Voltage Vgs:3V
    功耗:125W
    Operating Temperature Min:-55°C
    Operating Temperature Max:150°C
    Transistor Case Style:TO-263
    No. of Pins:3
    MSL:MSL 1 - Unlimited
    工作温度范围:-55°C to +150°C

     

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    品牌 : 原装
    型号 : SPB11N60C3
    种类 : 绝缘栅(MOSFET)
    沟道类型 : TO-263
    导电方式 : 增强型
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