IRFB4610PBF 出售原装 TO-220 场效应管 MOS 真空电子器件 磁控管 调速管 霍尔器件

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	50
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	100V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	73A
Rds（最大）@ ID，VGS	14 mOhm @ 44A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 100µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	140nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	3550pF @ 50V
功率 - 最大	190W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
包装材料	Tube
包装	3TO-220AB
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	100 V
最大连续漏极电流	73 A
RDS -于	14@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	18 ns
典型上升时间	87 ns
典型关闭延迟时间	3 ns
典型下降时间	70 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	73A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	4V @ 100µA
漏极至源极电压（Vdss）	100V
供应商设备封装	TO-220AB
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	14 mOhm @ 44A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	190W
输入电容（Ciss ） @ VDS	3550pF @ 50V
其他名称	*IRFB4610PBF
闸电荷（Qg ） @ VGS	140nC @ 10V
封装/外壳	TO-220-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
渠道类型	N
配置	Single
外形尺寸	10.54 x 4.69 x 8.77mm
身高	8.77mm
长度	10.54mm
最大漏源电阻	0.014 Ω
最高工作温度	+175 °C
最大功率耗散	190 W
最低工作温度	-55 °C
每个芯片的元件数	1
包装类型	TO-220AB
引脚数	3
典型栅极电荷@ VGS	90 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS	3550 pF V @ 50
宽度	4.69mm
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	20 V
连续漏极电流	73 A
安装风格	Through Hole
功率耗散	190 W
封装/外壳	TO-220AB
漏源击穿电压	100 V
RoHS	RoHS Compliant
栅极电荷Qg	90 nC
漏极电流（最大值）	73 A
频率（最大）	Not Required MHz
栅源电压（最大值）	�20 V
输出功率（最大）	Not Required W
噪声系数	Not Required dB
漏源导通电阻	0.014 ohm
工作温度范围	-55C to 175C
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏极效率	Not Required %
漏源导通电压	100 V
功率增益	Not Required dB
弧度硬化	No
删除	Compliant

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