¥5
10-49个
¥4
50-99个
¥3.50
≥100个
起订量
≥10个
总供应
5000个
所在地
广东省深圳市
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
IGBT 型 | - |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 12A |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 23A |
功率 - 最大 | 100W |
Input 型 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
配置 | Single |
最大集电极发射极电压 | 600 V |
最大连续集电极电流 | 23 A |
最大栅极发射极电压 | ±20 V |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大栅极发射极电压 | ±20 |
最大连续集电极电流 | 23 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220 |
渠道类型 | N |
最大集电极发射极电压 | 600 |
最大功率耗散 | 100000 |
最低工作温度 | -55 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
栅极电荷 | 50nC |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 23A |
安装类型 | Through Hole |
开关能量 | 540µJ |
时间Td(开/关) @ 25°C | 40ns/91ns |
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 | 2.1V @ 15V, 12A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V |
供应商设备封装 | TO-220AB |
反向恢复时间(trr ) | 42ns |
封装 | Tube |
功率 - 最大 | 100W |
输入类型 | Standard |
封装/外壳 | TO-220-3 |
测试条件 | 480V, 12A, 23 Ohm, 15V |
其他名称 | *IRG4BC30UDPBF |
电流 - 集电极脉冲( ICM ) | 92A |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
外形尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm |
身高 | 8.77mm |
长度 | 10.54mm |
最高工作温度 | +150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | TO-220AB |
宽度 | 4.69mm |
工厂包装数量 | 50 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 2.1 V |
连续集电极电流在25 C | 23 A |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
安装风格 | Through Hole |
功率耗散 | 100 W |
RoHS | RoHS Compliant |
集电极电流( DC)(最大值) | 23 A |
集电极 - 发射极电压 | 600 V |
工作温度(最大) | 150C |
工作温度(最小值) | -55C |
工作温度分类 | Military |
Gate to Emitter Voltage (Max) | �20 V |
弧度硬化 | No |
集电极电流(DC ) | 23 A |
晶体管类型 | :IGBT |
DC Collector Current | :23A |
Collector Emitter Voltage Vces | :2.5V |
功耗 | :100W |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :600V |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-220 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Current Ic Continuous a Max | :23A |
Current Temperature | :25°C |
Device Marking | :IRG4BC30UDPbF |
Fall Time Max | :80ns |
Full Power Rating Temperature | :25°C |
No. of Transistors | :1 |
工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
Power Dissipation Max | :100W |
Pulsed Current Icm | :92A |
上升时间 | :21ns |
端接类型 | :Through Hole |
晶体管极性 | :N Channel |
Voltage Vces | :600V |
Weight (kg) | 0.002 |
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品牌 : | IR |
型号 : | IRG4BC30UDPBF |
种类 : | 结型(JFET) |
导电方式 : | 耗尽型 |
用途 : | A/宽频带放大 |
封装外形 : | CER-DIP/陶瓷直插 |
材料 : | GaAS-FET砷化镓 |
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