IRG4BC30UDPBF 原装场效应管 一站式配单 晶体管 开关晶体管 贴片带阻晶体管 达林顿管 功率管 晶闸管

5

10-49个

4

50-99个

3.50

≥100个

起订量

≥10个

总供应

5000个

所在地

广东省深圳市

  • 图文详情
  • 产品属性
  • RohsLead free / RoHS Compliant
    标准包装50
    IGBT 型-
    电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
    Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 12A
    - 集电极电流(Ic)(最大)23A
    功率 - 最大100W
    Input 型Standard
    安装类型Through Hole
    包/盒TO-220-3
    供应商器件封装TO-220AB
    包装材料Tube
    包装3TO-220AB
    配置Single
    最大集电极发射极电压600 V
    最大连续集电极电流23 A
    最大栅极发射极电压±20 V
    安装Through Hole
    标准包装Rail / Tube
    供应商封装形式TO-220AB
    最大栅极发射极电压±20
    最大连续集电极电流23
    欧盟RoHS指令Compliant
    最高工作温度150
    标准包装名称TO-220
    渠道类型N
    最大集电极发射极电压600
    最大功率耗散100000
    最低工作温度-55
    引脚数3
    铅形状Through Hole
    栅极电荷50nC
    电流 - 集电极( Ic)(最大)23A
    安装类型Through Hole
    开关能量540µJ
    时间Td(开/关) @ 25°C40ns/91ns
    Vce(开) (最大值) Vge,Ic时2.1V @ 15V, 12A
    电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
    供应商设备封装TO-220AB
    反向恢复时间(trr )42ns
    封装Tube
    功率 - 最大100W
    输入类型Standard
    封装/外壳TO-220-3
    测试条件480V, 12A, 23 Ohm, 15V
    其他名称*IRG4BC30UDPBF
    电流 - 集电极脉冲( ICM )92A
    RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
    外形尺寸10.54 x 4.69 x 8.77mm
    身高8.77mm
    长度10.54mm
    最高工作温度+150 °C
    最低工作温度-55 °C
    包装类型TO-220AB
    宽度4.69mm
    工厂包装数量50
    集电极 - 发射极饱和电压2.1 V
    连续集电极电流在25 C23 A
    集电极 - 发射极最大电压VCEO600 V
    安装风格Through Hole
    功率耗散100 W
    RoHSRoHS Compliant
    集电极电流( DC)(最大值)23 A
    集电极 - 发射极电压600 V
    工作温度(最大)150C
    工作温度(最小值)-55C
    工作温度分类Military
    Gate to Emitter Voltage (Max)�20 V
    弧度硬化No
    集电极电流(DC )23 A
    晶体管类型:IGBT
    DC Collector Current:23A
    Collector Emitter Voltage Vces:2.5V
    功耗:100W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
    Operating Temperature Min:-55°C
    Operating Temperature Max:150°C
    Transistor Case Style:TO-220
    No. of Pins:3
    MSL:-
    SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
    Current Ic Continuous a Max:23A
    Current Temperature:25°C
    Device Marking:IRG4BC30UDPbF
    Fall Time Max:80ns
    Full Power Rating Temperature:25°C
    No. of Transistors:1
    工作温度范围:-55°C to +150°C
    Power Dissipation Max:100W
    Pulsed Current Icm:92A
    上升时间:21ns
    端接类型:Through Hole
    晶体管极性:N Channel
    Voltage Vces:600V
    Weight (kg)0.002

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    品牌 : IR
    型号 : IRG4BC30UDPBF
    种类 : 结型(JFET)
    导电方式 : 耗尽型
    用途 : A/宽频带放大
    封装外形 : CER-DIP/陶瓷直插
    材料 : GaAS-FET砷化镓
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