IRFP450PBF 功率MOSFET 原装 实物拍摄 深圳现货供应

标准包装	500
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	500V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	14A
Rds（最大）@ ID，VGS	400 mOhm @ 8.4A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	150nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	2600pF @ 25V
功率 - 最大	190W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-247-3
供应商器件封装	TO-247-3
包装材料	Tube
包装	3TO-247AC
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	500 V
最大连续漏极电流	14 A
RDS -于	400@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	17 ns
典型上升时间	47 ns
典型关闭延迟时间	92 ns
典型下降时间	44 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Through Hole
标准包装	Bulk
标准包装	Rail / Tube
最大门源电压	±20
包装宽度	5.31(Max)
PCB	3
最大功率耗散	190000
最大漏源电压	500
欧盟RoHS指令	Compliant
最大漏源电阻	400@10V
每个芯片的元件数	1
最低工作温度	-55
供应商封装形式	TO-247
标准包装名称	TO-247
最高工作温度	150
渠道类型	N
包装长度	15.87(Max)
引脚数	3
包装高度	20.7(Max)
最大连续漏极电流	14
标签	Tab
铅形状	Through Hole
单位包	25
最小起订量	500
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	14A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	4V @ 250µA
供应商设备封装	TO-247-3
其他名称	*IRFP450PBF
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	400 mOhm @ 8.4A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	190W
漏极至源极电压（Vdss）	500V
输入电容（Ciss ） @ VDS	2600pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	150nC @ 10V
封装/外壳	TO-247-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
配置	Single
外形尺寸	15.87 x 5.31 x 20.7mm
身高	20.7mm
长度	15.87mm
最大漏源电阻	0.4 Ω
最高工作温度	+150 °C
最大功率耗散	190 W
最低工作温度	-55 °C
包装类型	TO-247AC
典型栅极电荷@ VGS	150 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS	2600 pF V @ 25
宽度	5.31mm
工厂包装数量	500
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	14 A
安装风格	Through Hole
RDS（ON）	400 mOhms
功率耗散	190 W
封装/外壳	TO-247AC
上升时间	47 ns
漏源击穿电压	500 V
RoHS	RoHS Compliant By Exemption
下降时间	44 ns
漏极电流（最大值）	14 A
频率（最大）	Not Required MHz
栅源电压（最大值）	�20 V
输出功率（最大）	Not Required W
噪声系数	Not Required dB
漏源导通电阻	0.4 ohm
工作温度范围	-55C to 150C
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏极效率	Not Required %
漏源导通电压	500 V
功率增益	Not Required dB
弧度硬化	No

 

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