IRF740TRPBF IRF740PBF N沟道功率MOSFET 10A 350V / 400V出售原装 IR

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	4,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	20V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	8.7A
Rds（最大）@ ID，VGS	22 mOhm @ 4.1A, 4.5V
VGS（TH）（最大）@ Id	700mV @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	48nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1600pF @ 15V
功率 - 最大	2.5W
安装类型	Surface Mount
包/盒	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装	8-SO
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	8SOIC
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	20 V
最大连续漏极电流	8.7 A
RDS -于	22@4.5V mOhm
最大门源电压	±12 V
典型导通延迟时间	13 ns
典型上升时间	72 ns
典型关闭延迟时间	65 ns
典型下降时间	92 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
最大门源电压	±12
包装宽度	4(Max)
PCB	8
最大功率耗散	2500
最大漏源电压	20
欧盟RoHS指令	Compliant
最大漏源电阻	22@4.5V
每个芯片的元件数	1
最低工作温度	-55
供应商封装形式	SOIC
标准包装名称	SOIC
最高工作温度	150
渠道类型	N
包装长度	5(Max)
引脚数	8
包装高度	1.5(Max)
最大连续漏极电流	8.7
封装	Tape and Reel
铅形状	Gull-wing
FET特点	Logic Level Gate
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	8.7A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id	700mV @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	20V
供应商设备封装	8-SO
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	22 mOhm @ 4.1A, 4.5V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	2.5W
输入电容（Ciss ） @ VDS	1600pF @ 15V
其他名称	IRF7401PBFTR
闸电荷（Qg ） @ VGS	48nC @ 4.5V
封装/外壳	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	12 V
连续漏极电流	8.7 A
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	22 mOhms
功率耗散	2.5 W
封装/外壳	SOIC-8
漏源击穿电压	20 V
RoHS	RoHS Compliant
栅极电荷Qg	32 nC
漏极电流（最大值）	8.7 A
频率（最大）	Not Required MHz
栅源电压（最大值）	�12 V
输出功率（最大）	Not Required W
噪声系数	Not Required dB
漏源导通电阻	0.022 ohm
工作温度范围	-55C to 150C
包装类型	SOIC
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏极效率	Not Required %
漏源导通电压	20 V
功率增益	Not Required dB
弧度硬化	No
删除	Compliant

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