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所在地
广东省深圳市
FET 类型 N 沟道技术 MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss) 40V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 100A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.8 毫欧 @ 25A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.95V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 96nC @ 10VVgs(最大值) ±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6680pF @ 20VFET 功能 -功率耗散(最大值) 272W(Tc)工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)安装类型 表面贴装供应商器件封装 LFPAK56,Power-SO8
深圳市亚泰盈科电子有限公司
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等电子元件
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品牌 : | Nexperia |
型号 : | PSMN1R8-40YLC |
电源电压 : | 电压 |
频率 : | 频率 |
功率 : | 功率 |
特色服务 : | 服务 |
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