PSMN1R8-40YLC 1C840L全新 MOS管 PSMN1R2 LFPAK56 PSMN1R3 Nexperia

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5982PCS

所在地

广东省深圳市

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  • 产品属性
  • FET 类型    N 沟道技术    MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)    40V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)    100A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)    4.5V,10V不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)    1.8 毫欧 @ 25A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)    1.95V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)    96nC @ 10VVgs(最大值)    ±20V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)    6680pF @ 20VFET 功能    -功率耗散(最大值)    272W(Tc)工作温度    -55°C ~ 175°C(TJ)安装类型    表面贴装供应商器件封装    LFPAK56,Power-SO8

     

     

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    配套范围内:

    集成芯片 二三极管 电阻电容 接插件连接器

    排针排母 电脑插座 电解电容 DC座 耳机座 

    轻触开关 自锁开关 晶振 USB LED发光二极管  

    等电子元件

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    品牌 : Nexperia
    型号 : PSMN1R8-40YLC
    电源电压 : 电压
    频率 : 频率
    功率 : 功率
    特色服务 : 服务
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