IRF640NS IRF640NSTRLPBF irf640nstrlpbf编带 irf640nstrlpbf剪切卷带

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 150 毫欧 @ 11A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 67nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1160pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 150W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D2PAK

封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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