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总供应
56046个
所在地
广东省深圳市
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 64A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 14 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 81nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1970pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.8W(Ta),130W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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品牌 : | 士兰微 |
型号 : | svf2n60tt0-220t场效应管 |
电源电压 : | 250 |
频率 : | 50 |
用途 : | 仪器 |
功率 : | 60 |
特色服务 : | 服务 |
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