AOS万代 AO3415 20V P沟道MOS管 规格书及原理图

AO3415一般说明：

AO3415使用先进的海沟技术提供的RDS(上),低闸极 电荷和操作门电压1.8 v。本设备适用于负荷开关的应用程 序使用。

AO3415特征：

VDS = 20V

 ID (at VGS=-4.5V) -4A 

 RDS(ON) (at VGS= -4.5V) < 41mΩ 

 RDS(ON) (at VGS= -2.5V) < 53mΩ 

 RDS(ON) (at VGS= -1.8V) < 65mΩ

 ESD protected

答：RθJA的值是通过将设备安装在2盎司1英寸2 FR-4板上的测量得到的。 铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。 任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。 额定电流基于t≤10s的热阻额定值。 B：重复额定值，脉冲宽度受结温限制。

C. RθJA是结到引线RθJL和引线到环境的热阻之和。

D.图1至图6中的静态特性是使用<300 µs脉冲获得的，占空比最大为0.5％。

E.这些测试是在设备安装在2盎司1英寸2 FR-4板上的情况下进行的。 在T A = 25°C的静止空气环境中的铜。 SOA曲线提供单个脉冲额定值。

AO3415采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷，并且可在低至1.8V的栅极电压下运行。 该设备适合用作负载开关应用。

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