AOS美国万代正品 AO3421E 30V P沟道MOS管

AO3421E一般说明：

AO3421E将先进的P沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS（ON）。 该设备是负载开关的理想选择

和电池保护应用。

AO3421E特征：

VDS = -30V

ID（在VGS = -10V时）-3A

RDS（ON）（在VGS = -10V时）<95mΩ

RDS（ON）（在VGS = -4.5V时）<160mΩ

 ESD protected

答：RθJA的值是通过将设备安装在2盎司1英寸2 FR-4板上的测量得到的。 铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。 任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。 额定电流基于t≤10s的热阻额定值。 B：重复额定值，脉冲宽度受结温限制。

C. RθJA是结到引线RθJL和引线到环境的热阻之和。

D.图1至图6中的静态特性是使用<300 µs脉冲获得的，占空比最大为0.5％。

E.这些测试是在设备安装在2盎司1英寸2 FR-4板上的情况下进行的。 在T A = 25°C的静止空气环境中的铜。 SOA曲线提供单个脉冲额定值。

此产品已针对消费者市场进行了设计和验证。 未授权在生命支持设备或系统中作为关键组件的应用程序或用途。 对于此类应用程序或其产品的使用，AOS不承担任何责任。 AOS保留改进产品设计，功能和可靠性的权利，恕不另行通知。

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