AOS美国万代AO3422 N通道增强模式场效应晶体管

AO3422一般说明：

AO3422N通道增强模式场效应晶体管

AO3422使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 它可在2.5V至12V的宽栅极驱动范围内提供操作。 该设备适合用作负载开关。

AO3422特征：

VDS (V) = 55V

ID = 2.1A  (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 160mΩ (VGS = 4.5V) 

RDS(ON) < 200mΩ (VGS = 2.5V)

答：RθJA的值是通过将设备安装在2盎司1英寸2 FR-4板上的测量得到的。 铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。 任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。 额定电流基于t≤10s的热阻额定值。 B：重复额定值，脉冲宽度受结温限制。

C. RθJA是结到引线RθJL和引线到环境的热阻之和。

D.图1至图6中的静态特性是使用<300 µs脉冲获得的，占空比最大为0.5％。

E.这些测试是在设备安装在2盎司1英寸2 FR-4板上的情况下进行的。 在T A = 25°C的静止空气环境中的铜。 SOA曲线提供单个脉冲额定值。

此产品已针对消费者市场进行了设计和验证。 未授权在生命支持设备或系统中作为关键组件的应用程序或用途。 对于此类应用程序或其产品的使用，AOS不承担任何责任。 AOS保留改进产品设计，功能和可靠性的权利，恕不另行通知。

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