AOS美国万代AO3480C N通道增强模式场效应晶体管

AO3480C一般说明：

沟道功率MOSFET技术30V

    •低RDS（ON）

    •低栅极电荷

    •符合RoHS和无卤素标准

AO3480C特征：

VDS

 ID (at VGS=4.5V) 6.2A 

 RDS(ON) (at VGS=10V) < 20mΩ 

 RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 26mΩ

AO3480C一般的描述：

•沟槽功率MOSFET技术30V

•低RDS(上)

•门电荷低

•RoHS和无卤素兼容

AO3480C产品目录:

VDS公司

ID (at VGS=4.5V) 6.2A

RDS(上)(vg = 10 v) < 20 mΩ

在vg RDS(上)(= 4.5 v) < 26 mΩ

AO3480C防静电保护

A. RqJA的值是用2oz的装置安装在1in2 FR-4板上测量的。铜，在TA =25℃的静空气环境中。的价值在任何给定的应用取决于用户的具体板设计。

B.功耗PD基于TJ(MAX)=150℃，采用≤10s的接点-环境热阻。

C.重复额定值，脉冲宽度受结温TJ(MAX)=150℃限制。额定值是基于低频和占空比来保持的

initialTJ = 25°C。RqJA是从结到引线RqJL和引线到环境的热阻抗之和。

E.图1到6中的静态特性是使用小于300ms的脉冲，占空比最大为0.5%获得的。

F.这些曲线是基于在1in2上安装的装置测量的接点到环境的热阻抗FR-4板与2盎司。假设TJ(MAX)的最大结温=150℃。SOA曲线提供了一个单一的脉冲额定值。

答：RθJA的值是通过将设备安装在2盎司1英寸2 FR-4板上的测量得到的。 铜，在TA = 25°C的静止空气环境中。 任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。 额定电流基于t≤10s的热阻额定值。 B：重复额定值，脉冲宽度受结温限制。

C. RθJA是结到引线RθJL和引线到环境的热阻之和。

D.图1至图6中的静态特性是使用<300 µs脉冲获得的，占空比最大为0.5％。

E.这些测试是在设备安装在2盎司1英寸2 FR-4板上的情况下进行的。 在T A = 25°C的静止空气环境中的铜。 SOA曲线提供单个脉冲额定值。

此产品已针对消费者市场进行了设计和验证。 未授权在生命支持设备或系统中作为关键组件的应用程序或用途。 对于此类应用程序或其产品的使用，AOS不承担任何责任。 AOS保留改进产品设计，功能和可靠性的权利，恕不另行通知。

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