AOS美国万代AO3481C SOT23-3 P通道增强模式场效应晶体管

AO3481C一般说明：

沟道功率MOSFET技术30V

    •低RDS（ON）

    •低栅极电荷

    •符合RoHS和无卤素标准

AO3481C特征：

VDS

 ID (at VGS=-10V) -4.3A 

 RDS(ON) (at VGS=-10V) < 45mΩ 

 RDS(ON) (at VGS=-4.5V) < 65mΩ

未授权在生命支持设备或系统中应用或用作关键组件。 对于此类应用程序或其产品的使用，AOS不承担任何责任。 AOS保留改进产品设计，功能和可靠性的权利，恕不另行通知。

本文由 深圳市泰德兰电子有限公司 网编通过AO3481C英文规格书翻译中文整理分享，由于泰德兰电子长期代理电源ic，快充ic芯片，mos管等芯片，所以对这版块的相关技术知识进行分享，欢迎大家下方留言互动。

网站链接：http://www.tdldz.com/proData_170_2222.html

搜好货厂家深圳市泰德兰电子有限公司为您提供AOS美国万代AO3481C SOT23-3 P通道增强模式场效应晶体管的详细产品价格、产品图片等产品介绍信息，您可以直接联系厂家获取AOS美国万代AO3481C SOT23-3 P通道增强模式场效应晶体管的具体资料，联系时请说明是在搜好货网看到的。