金源金属锗回收 运营顾客增加电话回访 上门检测服务 收购氧化锗 高纯碲靶材回收

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产品名称：锗粒

 

分 子  式：Ge

 

产品形状:不规则晶体颗粒

 

粒      度：1-5mm或3-8mm

 

用      途：真空镀膜

 

技术参数

 

纯   度（%）：99.999

熔   点（oC）：937.4

密   度（g/cm3）：5.35

 

产品描述

 产品名称：锗粒

CAS号.：

7440-56-4

  外观：银灰色金属光泽

   分子式：Ge

   摩尔质量：72.64g/mol

   纯度：99.999%

   尺寸：不规则块

  

 产品性质：

产品规格：

 

产品用途：

  锗是重要的半导体材料，在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛而重要的应用。根据美国地质调查局数据显示球锗终端用户所占比例如下：纤维光纤30%；红外光纤20%；聚合催化剂20%；电子和太阳能器件15%和其他(荧光粉、冶金、和化疗)15%。

 

产品包装：

 内包装:每锭密封于聚乙烯薄膜袋中

  外包装：聚苯乙烯盒内，外加木箱，每箱净重约为25公斤。

  

产品运输及存储：

  密封保存于阴凉干燥处，防止受潮和氧化。可按普通货物运输，非危险品。

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微信同号（李生138，2631，0980）

锗在室温下是稳定的，但也会生成GeO单层膜，时间长了会逐渐变成GeO2单层膜。而当锗的表面吸附了水蒸气便破坏了氧化膜的钝化性质，而生成厚的氧化物。

锗在较高温度下便氧化，且伴随有失重的现象，原因是生成了GeO，因其有较强的挥发性。 研究者研究了锗表面氧化的过程，先在600℃时用CO还原锗，以排除锗表面的结合氧或吸附氧。再在25~400℃，10kPa的氧压下氧化锗，仅1min即形成了*氧化层。当温度超过250℃很快形成第二氧化层。再升高温度，氧化速度显著变慢。在400℃氧化3h，形成厚度为1.75nm的GeO2膜。

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