京迈研3441 二硒化钼靶材 MoSe2磁控溅射材料 电子束镀膜蒸发料

3441 二硒化钼靶材 MoSe2磁控溅射材料 电子束镀膜蒸发料

 

【参数说明】

支持靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！

【产品介绍】

硒化钼  IV  ，英文名称为Molybdenum   IV   selenide，CAS号为12058-18-3，分子式为MoSe2，分子量为253.86，灰色粉末，具有层状结构，具有半导体性质，是一种无机化工品。

【关于我们】

服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后无忧！

产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装

适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 

质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。 

加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生靶裂情况，绑定背靶后，可提高化合物靶材的导热性能，提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！

我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊厚度约为0.2mm，高纯无氧铜作为背靶。

注  ：高纯铟的熔点约为156℃，靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化！绑定背靶不影响靶材的正常使用！

建议：陶瓷脆性靶材、烧结靶材，高功率下溅射易碎，建议溅射功率不超过3W/cm2。

我公司主营金属靶材、陶瓷靶材、合金靶材，欢迎您的垂询。

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