京迈研3447 锑化镓靶材GaSb磁控溅射材料 电子束镀膜蒸发料

京迈研3447 锑化镓靶材GaSb磁控溅射材料 电子束镀膜蒸发料

 

【参数说明】

支持靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！

【产品介绍】

中文名称：锑化镓

分子式：GaSb

分子量：191.4814

晶格类型：闪锌矿结构，属于立方晶系

GaSb 是一种Ⅲ -Ⅴ族化合物半导体材料, 对它的研究远不如其他半导体材料(如GaAs , InP 等)那样深入。但近些年来这种材料越来越引起人们兴趣, 这主要是光纤通信技术的发展, 对新器件的潜在需求而引起的。在所有Ⅲ -Ⅴ族材料中,GaSb 作为衬底材料引起了更多的注意, 因为它可以与各种Ⅲ -Ⅴ族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配, 这些材料光谱的范围在(0 .8 ～ 4 .0)μm 之间, 正好符合要求。另外, 利用GaSb 基材料超晶格的带间吸收也可以制造更长波长(8 ～ 14)μm 范围的探测器。

GaSb 基材料制造的器件除了在光纤通信中有巨大的潜在应用价值外, 在其他领域也有很大的潜在应用价值, 如制作多种用途的红外探测器件及火箭和监视系统中的红外成像器件, 用于火灾报警和环境污染检测的传感器, 监测工厂中腐蚀气体(如HCl 等)和有毒气体的泄漏的传感器等。

【关于我们】

服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到再付款，质量保证，售后无忧！

产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装

适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 

质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。 

加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库

陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生靶裂情况，绑定背靶后，可提高化合物靶材的导热性能，提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！

我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊厚度约为0.2mm，高纯无氧铜作为背靶。

注  ：高纯铟的熔点约为156℃，靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化！绑定背靶不影响靶材的正常使用！

建议：陶瓷脆性靶材、烧结靶材，高功率下溅射易碎，建议溅射功率不超过3W/cm2。

我公司主营金属靶材、陶瓷靶材、合金靶材，欢迎您的垂询。

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