国产半导体参数分析仪

国产半导体参数分析仪简介

功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。

      功率器件静态参数测试系统具有友好的上位机操作界面，被测参数以建立工程形式进行测量，用户可以配置工程中的相关参数。支持单独测试功率器件某一项静态参数及一键测试已建立工程的静态参数，可自动导出测试数据，提高测试效率。

      功率器件静态参数主要包括I-V特性、C-V特性等，普赛斯作为源表研发生产厂家，以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。

 

产品特点

• 高电压：支持高达3KV高电压测试；

• 大电流：支持高达4KA大电流测试；

• 高精度：支持uΩ级电阻、pA级电流、uV级精准测量；

• 丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；

• 配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；

• 数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；

• 模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；

• 可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；

• 可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；

   

  技术指标

PMST系统配置	关键参数	备注
P系列脉冲源表	PW高达30V/10A、300V/1A	栅极特性测试
	CW高达300V/0.1A、30V/1A
	最小脉冲宽度200uS
HCP系列大电流脉冲源表	PW高达30V/100A	IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压测试
	CW高达10V/30A
	最小分辨率30uV/10pA
	最小脉冲宽度80uS
HCPL系列高电流脉冲电流源	单台PW高达12V/1000A，可多台并联
	最小脉冲宽度50uS
E系列高电压源测单元	CW高达3000V/100mA	IGBT击穿电压测试
	最小分辨率10mV/100pA
	测量精度 0.1%
电桥	频率范围：20Hz~1MHz	IGBT各级间电容测试
	HVP系列提供0~400V直流偏置电压S系列提供0~30V直流偏置电压
	预置偏置电阻100kΩ
矩阵开关	/	电路切换及源表切换
主机	/
测试夹具	根据器件封装形式定制

系统具体配置由用户自行选择，以车规IGBT为例，一般配置如下：

国产半导体参数分析仪订货信息

国产半导体参数分析仪应用

功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；

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