¥985000
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≥1套
总供应
99套
所在地
陕西省西安市
热阻抗测试仪“陕西天士立科技有限公司”研发生产_平替T3Ster_Phase11热特性测试仪。产品符合JESD 51-1、JESD 51-14标准,用于DIODE、IGBT、MOSFET、HEMT、GTO、功率IC等多种类型功率器件及其模组瞬态热阻抗、热结构分析、结构函数输出
超高精度:温度(T;)分辨率0.01℃℃,1MHz变频采样:
技术:第三代瞬态热测试技术,可输出结构函数进行热结构分析
行业:具备4路高速高精度采集模块,采样速度,精度均达到行业D尖水平
架构:采用B/S架构控制系统、可远程对设备进行状态监控和控制,实现智能化;
瞬态监测:连续采集加热和冷却区的结温变化,同步采集温度监控点数据;
NPS技术:同步采集温度监控点(NTC/PTC)和结温数据,形成数据关系矩阵。
器件结壳热阻测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
散热结构分析ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
Die-Attach热阻测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
DBC/AMB基本热特性测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
界面热阻测量与分析ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
PCB板级散热结构分析ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
散热器性能测量ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
TIM材料热导率测试ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
热缺陷检测ST-HeatX_半导体热特性热阻抗测试仪系统
产品品牌 | 天士立 | |
产品型号 | ST-HeatX | |
产品名称 | 半导体热特性测试系统 | |
主要功能 | 适用于多种类型功率器件及其模组的瞬态热阻抗、热结构分析、结构函数输出 | |
试验对象 | DIODE、MOSFET、IGBT/IGCT、HEMT、GTO、IC | |
试验标准 | 符合JESD51-1、JESD51-14、IEC 60747-8、IEC 60747-9、IEC 60747-15、IEC 60749-23、IEC 60749-34、AEC-Q101、AQG 324等相关标准要求 | |
试验模式 | DIODE模式 SAT模式 IGBT模式 RDSON模式 HEMT模式 | |
门控电源 | 数量 4 输出方式 隔离输出 输出范围 -10V ~ 20V 输出误差 ≤0.1V + 0.5%set 分辨率 0.01V | |
NTC/PTC 数据同步 采集 | NTC测量范围 250kΩ 〜 100Ω PTC测量范围 100Ω 〜 250kΩ Z高采样频率 1MHZ 同步时间误差 ≤1μs | |
栅极漏电 测量 | 量程分辨率1nA ~ 850nA@0.01nA 量程分辨率850nA ~ 1mA@0.01uA | |
加热电源 | 量程 30A / 10V 电流输出误差 ≤0.05A + 0.1%set 电流设定分辨率 0.01A 开关速度1μs | |
测温电流源 (主) | 量程 ±0.1A ~ ±1A / 10V 分辨率 1mA 误差 ≤2mA + 0.5%set | |
测温电流源 (辅) | 量程 0 ~ 100mA / 10V 分辨率 0.01mA 误差 0~10mA ≤50μA + 0.5%set 误差 10 ~ 100mA ≤0.5mA + 0.5%set | |
测量通道 | 数量 4 动态电压测量范围 ±5V(差分模式) 动态电压测量误差 ≤1mV + 0.5%set 动态电压量程 100mV、200mV、400mV、800mV 动态电压分辨率 1.6μV 采样频率 Z高1MHz 采样模式 连续变频采样 |
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加工定制 : | 是 |
品牌 : | 天士立 |
型号 : | ST-HeatX |
测量范围 : | -35℃~180℃ |
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